IXYS IXFN55N50 MOSFET Transistor 55A 500V N Kanal HiPerFET
yüksek güç yoğunluğu ve hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel sistemler için tasarlanmış üst segment bir yarı iletkendir. HiPerFET™ teknolojisi sayesinde düşük iç direnç (0.08 ohm) ve minimize edilmiş geçit şarjı sunarak enerji verimliliğini maksimize eder.
Teknik Özellikler Tablosu
| Özellik | Detay |
| Marka / Model | IXYS / IXFN55N50 |
| Transistör Tipi | N Kanal (N-Channel) MOSFET |
| Sürekli Akım (Id) | 55 A |
| Dayanım Voltajı (Vds) | 500 V |
| İç Direnç (Rds On) | 0.08 Ohm |
| Sürüş Voltajı (Vgs) | 10 V |
| Eşik Voltajı (Vgs th) | 4.5 V |
| Paket / Kasa | SOT-227B (Chassis Mount) |
| Teknoloji | HiPerFET™ (Yüksek Performanslı FET) |
Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!