IXYS IXFN55N50 MOSFET Transistor 55A 500V N Kanal HiPerFET

0,00 ₺ Kdv Dahil
Stok Kodu
1G4E6GEDDR
Fiyat
0,00 TL + KDV
Bugün sipariş verdiğiniz de aynı gün kargoda!

IXYS IXFN55N50 MOSFET Transistor 55A 500V N Kanal HiPerFET

yüksek güç yoğunluğu ve hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel sistemler için tasarlanmış üst segment bir yarı iletkendir. HiPerFET™ teknolojisi sayesinde düşük iç direnç (0.08 ohm) ve minimize edilmiş geçit şarjı sunarak enerji verimliliğini maksimize eder.

Teknik Özellikler Tablosu

Özellik Detay
Marka / Model IXYS / IXFN55N50
Transistör Tipi N Kanal (N-Channel) MOSFET
Sürekli Akım (Id) 55 A
Dayanım Voltajı (Vds) 500 V
İç Direnç (Rds On) 0.08 Ohm
Sürüş Voltajı (Vgs) 10 V
Eşik Voltajı (Vgs th) 4.5 V
Paket / Kasa SOT-227B (Chassis Mount)
Teknoloji HiPerFET™ (Yüksek Performanslı FET)

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
IXYS IXFN55N50 MOSFET Transistor 55A 500V N Kanal HiPerFET IXYS IXFN55N50 MOSFET Transistor 55A 500V N Kanal HiPerFET teknik verileri ve kullanım alanları. 55A akım, 500V voltaj ve 0.08 ohm düşük dirençli 1G4E6GEDDR
IXYS IXFN55N50 MOSFET Transistor 55A 500V N Kanal HiPerFET

Tavsiye Et

*
*
*
ideasoft e-ticaret paketleri ile hazırlandı.